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STB37N60DM2AG

MOSFET N-CH 600V 28A

Artikelnummer

STB37N60DM2AG

Hersteller/Marke

STMicroelectronics

Serie

Automotive, AEC-Q101, MDmesh™

Teilestatus

Active

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Gerätepaket des Lieferanten

D2PAK

Verlustleistung (max.)

210W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

600V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

28A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

110 mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

54nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

2400pF @ 100V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±25V

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