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STB14NM65N

MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK

Artikelnummer

STB14NM65N

Hersteller/Marke

STMicroelectronics

Serie

MDmesh™ II

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Gerätepaket des Lieferanten

D2PAK

Verlustleistung (max.)

125W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

650V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

12A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

380 mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

45nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

1300pF @ 50V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±25V

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