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STB100NF03L-03-1

MOSFET N-CH 30V 100A I2PAK

Artikelnummer

STB100NF03L-03-1

Hersteller/Marke

STMicroelectronics

Serie

STripFET™ III

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart

Through Hole

Paket/Koffer

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Gerätepaket des Lieferanten

I2PAK

Verlustleistung (max.)

300W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

100A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.2 mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

88nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

6200pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±16V

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