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1N5807US

1N5807US

DIODE GEN PURP 50V 6A
Artikelnummer
1N5807US
Hersteller/Marke
Serie
-
Teilestatus
Active
Verpackung
Bulk
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
SQ-MELF
Gerätepaket des Lieferanten
-
Diodentyp
Standard
Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io)
6A
Spannung – Vorwärts (Vf) (Max) @ If
875mV @ 4A
Strom – Rückwärtsleckage bei Vr
5µA @ 50V
Spannung – DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)
50V
Geschwindigkeit
Fast Recovery = 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)
30ns
Betriebstemperatur – Verbindungsstelle
-
Kapazität @ Vr, F
60pF @ 5V, 1MHz
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