Kaufen Rohm Semiconductor RS1G120MNTB MOSFET N-CH 40V 12A 8HSOP

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Datenblätter

RS1G120MNTB

MOSFET N-CH 40V 12A 8HSOP

Artikelnummer

RS1G120MNTB

Hersteller/Marke

Rohm Semiconductor

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Digi-Reel®

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

8-PowerTDFN

Gerätepaket des Lieferanten

8-HSOP

Verlustleistung (max.)

3W (Ta), 25W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

40V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

12A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

16.2 mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

9.4nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

570pF @ 20V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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