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RQ3E160ADTB

RQ3E160ADTB

MOSFET N-CH 30V 16A 8HSMT
Artikelnummer
RQ3E160ADTB
Hersteller/Marke
Serie
-
Teilestatus
Active
Verpackung
Digi-Reel®
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
8-PowerVDFN
Gerätepaket des Lieferanten
8-HSMT (3.2x3)
Verlustleistung (max.)
2W (Ta)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.5 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
51nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
2550pF @ 15V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
±20V
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