Kaufen Rohm Semiconductor RQ3E160ADTB MOSFET N-CH 30V 16A 8HSMT

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Datenblätter

RQ3E160ADTB

MOSFET N-CH 30V 16A 8HSMT

Artikelnummer

RQ3E160ADTB

Hersteller/Marke

Rohm Semiconductor

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Digi-Reel®

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

8-PowerVDFN

Gerätepaket des Lieferanten

8-HSMT (3.2x3)

Verlustleistung (max.)

2W (Ta)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

16A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.5 mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

51nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

2550pF @ 15V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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