Kaufen Rohm Semiconductor R6002END3TL1 NCH 600V 2A POWER MOSFET

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Datenblätter

R6002END3TL1

NCH 600V 2A POWER MOSFET

Artikelnummer

R6002END3TL1

Hersteller/Marke

Rohm Semiconductor

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gerätepaket des Lieferanten

TO-252

Verlustleistung (max.)

26W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

600V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

1.7A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.4 Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

6.5nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

65pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±20V

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