Kaufen Rohm Semiconductor EM6K6T2R MOSFET 2N-CH 20V 0.3A EMT6

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Datenblätter

EM6K6T2R

MOSFET 2N-CH 20V 0.3A EMT6

Artikelnummer

EM6K6T2R

Hersteller/Marke

Rohm Semiconductor

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Cut Tape (CT)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

SOT-563, SOT-666

Leistung max

150mW

Gerätepaket des Lieferanten

EMT6

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

300mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1 Ohm @ 300mA, 4V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

25pF @ 10V

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