Kaufen Rohm Semiconductor DTC123EUAT106 TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3

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Datenblätter

DTC123EUAT106

TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3

Artikelnummer

DTC123EUAT106

Hersteller/Marke

Rohm Semiconductor

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Cut Tape (CT)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

SC-70, SOT-323

Leistung max

200mW

Gerätepaket des Lieferanten

UMT3

Transistortyp

NPN - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (Max)

100mA

Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)

50V

Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

Strom – Kollektorabschaltung (max.)

500nA

DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce

20 @ 20mA, 5V

Häufigkeit – Übergang

250MHz

Widerstand - Basis (R1)

2.2 kOhms

Widerstand – Emitterbasis (R2)

2.2 kOhms

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