Kaufen Renesas Electronics America UPA2812T1L-E1-AT MOSFET P-CH 30V 30A 8HVSON

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UPA2812T1L-E1-AT

MOSFET P-CH 30V 30A 8HVSON

Artikelnummer

UPA2812T1L-E1-AT

Hersteller/Marke

Renesas Electronics America

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

8-PowerVDFN

Gerätepaket des Lieferanten

8-HVSON (3x3.3)

Verlustleistung (max.)

1.5W (Ta), 52W (Tc)

FET-Typ

P-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

30A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.8 mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

100nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

3740pF @ 10V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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