RJK03M5DNS-00#J5
MOSFET N-CH 30V 25A HWSON
Artikelnummer
RJK03M5DNS-00#J5
Hersteller/Marke
Teilestatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
8-PowerWDFN
Gerätepaket des Lieferanten
8-HWSON (3.3x3.3)
Verlustleistung (max.)
15W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.3 mOhm @ 12.5A, 10V
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
10.4nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
1890pF @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
4.5V, 10V
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