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NP80N055NDG-S18-AY
MOSFET N-CH 55V 80A TO-262
Artikelnummer
NP80N055NDG-S18-AY
Hersteller/Marke
Serie
-
Teilestatus
Active
Verpackung
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
175°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Paket/Koffer
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Gerätepaket des Lieferanten
TO-262
Verlustleistung (max.)
1.8W (Ta), 115W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
55V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.9 mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
135nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
6900pF @ 25V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
±20V
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