Renesas Electronics America
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NP160N055TUK-E1-AY
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NP160N055TUK-E1-AY

MOSFET N-CH 55V 160A TO-263
Artikelnummer
NP160N055TUK-E1-AY
Hersteller/Marke
Renesas Electronics America
Serie
-
Teilestatus
Active
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Gerätepaket des Lieferanten
TO-263-7
Verlustleistung (max.)
1.8W (Ta), 250W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
55V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.1 mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
189nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
11250pF @ 25V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
10V
Vgs (Max)
±20V
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