Kaufen Renesas Electronics America HAT2169H-EL-E MOSFET N-CH 40V 50A LFPAK

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HAT2169H-EL-E

MOSFET N-CH 40V 50A LFPAK

Artikelnummer

HAT2169H-EL-E

Hersteller/Marke

Renesas Electronics America

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

SC-100, SOT-669

Gerätepaket des Lieferanten

LFPAK

Verlustleistung (max.)

30W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

40V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

50A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.5 mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

45nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

6650pF @ 10V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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