Kaufen Renesas Electronics America 2SK4150TZ-E MOSFET N-CH 250V 0.4A TO-92

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2SK4150TZ-E

MOSFET N-CH 250V 0.4A TO-92

Artikelnummer

2SK4150TZ-E

Hersteller/Marke

Renesas Electronics America

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Befestigungsart

Through Hole

Paket/Koffer

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Gerätepaket des Lieferanten

TO-92

Verlustleistung (max.)

750mW (Ta)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

250V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

400mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.7 Ohm @ 200mA, 4V

Vgs(th) (Max) @ Id

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

3.7nC @ 4V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

80pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

2.5V, 4V

Vgs (Max)

±10V

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