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2SK1341-E
MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P
Artikelnummer
2SK1341-E
Hersteller/Marke
Serie
-
Teilestatus
Active
Verpackung
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Paket/Koffer
TO-3P-3, SC-65-3
Gerätepaket des Lieferanten
TO-3P
Verlustleistung (max.)
100W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
900V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3 Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
980pF @ 10V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
10V
Vgs (Max)
±30V
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