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NVTFS5C658NLWFTAG

MOSFET N-CH 60V 109A 8WDFN

Artikelnummer

NVTFS5C658NLWFTAG

Hersteller/Marke

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

Teilestatus

Active

Verpackung

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

8-PowerWDFN

Gerätepaket des Lieferanten

8-WDFN (3.3x3.3)

Verlustleistung (max.)

114W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

109A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5 mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

1935pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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