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NVTFS5C658NLTAG
MOSFET N-CH 60V 109A 8WDFN
Artikelnummer
NVTFS5C658NLTAG
Hersteller/Marke
Serie
Automotive, AEC-Q101
Teilestatus
Active
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
8-PowerWDFN
Gerätepaket des Lieferanten
8-WDFN (3.3x3.3)
Verlustleistung (max.)
114W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
109A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
1935pF @ 25V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
±20V
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