ON Semiconductor
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NVMFD5873NLT1G
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NVMFD5873NLT1G

MOSFET 2N-CH 60V 10A SO8FL
Artikelnummer
NVMFD5873NLT1G
Hersteller/Marke
ON Semiconductor
Serie
-
Teilestatus
Active
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
8-PowerTDFN
Leistung max
3.1W
Gerätepaket des Lieferanten
8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
FET-Typ
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
10A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
13 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
30.5nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
1560pF @ 25V
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