ON Semiconductor
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NTMFD4C86NT1G
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NTMFD4C86NT1G

MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
Artikelnummer
NTMFD4C86NT1G
Hersteller/Marke
ON Semiconductor
Serie
-
Teilestatus
Obsolete
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
8-PowerTDFN
Leistung max
1.1W
Gerätepaket des Lieferanten
8-DFN (5x6)
FET-Typ
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET-Funktion
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
11.3A, 18.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.4 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
22.2nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
1153pF @ 15V
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