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NTLJS3A18PZTWG
MOSFET P-CH 20V 8.4A WDFN6
Artikelnummer
NTLJS3A18PZTWG
Hersteller/Marke
Serie
-
Teilestatus
Obsolete
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
6-WDFN Exposed Pad
Gerätepaket des Lieferanten
6-WDFN (2x2)
Verlustleistung (max.)
700mW (Ta)
FET-Typ
P-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
20V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
18 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
28nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
2240pF @ 15V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
1.5V, 4.5V
Vgs (Max)
±8V
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