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NTGD3149CT1G

NTGD3149CT1G

MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP
Artikelnummer
NTGD3149CT1G
Hersteller/Marke
Serie
-
Teilestatus
Obsolete
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Leistung max
900mW
Gerätepaket des Lieferanten
6-TSOP
FET-Typ
N and P-Channel
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)
20V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
3.2A, 2.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
60 mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
5.5nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
387pF @ 10V
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