Kaufen ON Semiconductor NTD4302T4G MOSFET N-CH 30V 8.4A DPAK

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Datenblätter

NTD4302T4G

MOSFET N-CH 30V 8.4A DPAK

Artikelnummer

NTD4302T4G

Hersteller/Marke

ON Semiconductor

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gerätepaket des Lieferanten

DPAK

Verlustleistung (max.)

1.04W (Ta), 75W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

8.4A (Ta), 68A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

80nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

2400pF @ 24V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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