Kaufen ON Semiconductor NSVMMUN2112LT1G TRANS PREBIAS PNP 0.246W SOT23

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Datenblätter

NSVMMUN2112LT1G

TRANS PREBIAS PNP 0.246W SOT23

Artikelnummer

NSVMMUN2112LT1G

Hersteller/Marke

ON Semiconductor

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Cut Tape (CT)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Leistung max

246mW

Gerätepaket des Lieferanten

SOT-23-3 (TO-236)

Transistortyp

PNP - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (Max)

100mA

Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)

50V

Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

Strom – Kollektorabschaltung (max.)

500nA

DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce

60 @ 5mA, 10V

Häufigkeit – Übergang

Widerstand - Basis (R1)

22 kOhms

Widerstand – Emitterbasis (R2)

22 kOhms

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