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NDT02N40T1G

NDT02N40T1G

MOSFET N-CH 400V 0.4A SOT223
Artikelnummer
NDT02N40T1G
Hersteller/Marke
Serie
-
Teilestatus
Obsolete
Verpackung
Cut Tape (CT)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
TO-261-4, TO-261AA
Gerätepaket des Lieferanten
SOT-223 (TO-261)
Verlustleistung (max.)
2W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
400V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
400mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.5 Ohm @ 220mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
5.5nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
121pF @ 25V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
10V
Vgs (Max)
±20V
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