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NDS9952A
MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
Artikelnummer
NDS9952A
Hersteller/Marke
Serie
-
Teilestatus
Active
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Leistung max
900mW
Gerätepaket des Lieferanten
8-SO
FET-Typ
N and P-Channel
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
3.7A, 2.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
80 mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
320pF @ 10V
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