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NDD05N50ZT4G

NDD05N50ZT4G

MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
Artikelnummer
NDD05N50ZT4G
Hersteller/Marke
Serie
-
Teilestatus
Obsolete
Verpackung
Digi-Reel®
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gerätepaket des Lieferanten
DPAK
Verlustleistung (max.)
83W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
500V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.5 Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 50µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
18.5nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
530pF @ 25V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
10V
Vgs (Max)
±30V
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