Kaufen ON Semiconductor H11G2TVM OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP

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Datenblätter

H11G2TVM

OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP

Artikelnummer

H11G2TVM

Hersteller/Marke

ON Semiconductor

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Tube

Eingabetyp

Betriebstemperatur

-40°C ~ 100°C

Befestigungsart

Through Hole

Paket/Koffer

6-DIP (0.400", 10.16mm)

Ausgabetyp

Darlington with Base

Anzahl der Kanäle

Gerätepaket des Lieferanten

6-DIP

Strom – Ausgang/Kanal

Spannung – Isolation

4170Vrms

Anstiegs-/Abfallzeit (Typ)

Spannung – Ausgang (max.)

80V

Spannung – Vorwärts (Vf) (Typ)

1.3V

Strom – DC-Vorwärtsstrom (falls) (max.)

60mA

Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min.)

1000% @ 10mA

Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.)

Ein-/Ausschaltzeit (Typ)

5µs, 100µs

VCE-Sättigung (Max)

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