Kaufen ON Semiconductor H11AG1M OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6DIP

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Datenblätter

H11AG1M

OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6DIP

Artikelnummer

H11AG1M

Hersteller/Marke

ON Semiconductor

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Tube

Eingabetyp

Betriebstemperatur

-40°C ~ 100°C

Befestigungsart

Through Hole

Paket/Koffer

6-DIP (0.300", 7.62mm)

Ausgabetyp

Transistor with Base

Anzahl der Kanäle

Gerätepaket des Lieferanten

6-DIP

Strom – Ausgang/Kanal

50mA

Spannung – Isolation

4170Vrms

Anstiegs-/Abfallzeit (Typ)

Spannung – Ausgang (max.)

30V

Spannung – Vorwärts (Vf) (Typ)

1.25V

Strom – DC-Vorwärtsstrom (falls) (max.)

50mA

Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min.)

100% @ 1mA

Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.)

Ein-/Ausschaltzeit (Typ)

5µs, 5µs

VCE-Sättigung (Max)

400mV

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