Kaufen ON Semiconductor FQD5N60CTM MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK

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Datenblätter

FQD5N60CTM

MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK

Artikelnummer

FQD5N60CTM

Hersteller/Marke

ON Semiconductor

Serie

QFET®

Teilestatus

Active

Verpackung

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gerätepaket des Lieferanten

D-Pak

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta), 49W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

600V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

2.8A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.5 Ohm @ 1.4A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

19nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

670pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±30V

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