Kaufen ON Semiconductor FQB9N50CFTM_WS MOSFET N-CH 500V 9A D2PAK

Das Bild kann eine Darstellung sein.
Siehe Spezifikationen für Produktdetails.

Datenblätter

FQB9N50CFTM_WS

MOSFET N-CH 500V 9A D2PAK

Artikelnummer

FQB9N50CFTM_WS

Hersteller/Marke

ON Semiconductor

Serie

FRFET®

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Gerätepaket des Lieferanten

D²PAK (TO-263AB)

Verlustleistung (max.)

173W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

500V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

9A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

850 mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

1030pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±30V

Angebot anfordern

Bitte füllen Sie alle erforderlichen Felder aus und klicken Sie auf „SENDEN“. Wir werden Sie innerhalb von 12 Stunden per E-Mail kontaktieren. Wenn Sie ein Problem haben, hinterlassen Sie bitte eine Nachricht oder senden Sie eine E-Mail an [email protected], wir werden so schnell wie möglich antworten.

Auf Lager 52977 PCS

Kontaktinformationen

Verwandte Produkte

FQB9N08LTM

MOSFET N-CH 80V 9.3A D2PAK