Das Bild kann eine Darstellung sein.
Siehe Spezifikationen für Produktdetails.
FQB9N50CFTM_WS

FQB9N50CFTM_WS

MOSFET N-CH 500V 9A D2PAK
Artikelnummer
FQB9N50CFTM_WS
Hersteller/Marke
Serie
FRFET®
Teilestatus
Obsolete
Verpackung
Cut Tape (CT)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gerätepaket des Lieferanten
D²PAK (TO-263AB)
Verlustleistung (max.)
173W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
500V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
850 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
1030pF @ 25V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
10V
Vgs (Max)
±30V
Angebot anfordern
Bitte füllen Sie alle erforderlichen Felder aus und klicken Sie auf „SENDEN“. Wir werden Sie innerhalb von 12 Stunden per E-Mail kontaktieren. Wenn Sie ein Problem haben, hinterlassen Sie bitte eine Nachricht oder senden Sie eine E-Mail an [email protected], wir werden so schnell wie möglich antworten.
Auf Lager 52977 PCS
Kontaktinformationen
Schlüsselwörter von FQB9N50CFTM_WS
FQB9N50CFTM_WS Elektronische Komponenten
FQB9N50CFTM_WS Verkäufe
FQB9N50CFTM_WS Anbieter
FQB9N50CFTM_WS Verteiler
FQB9N50CFTM_WS Datentabelle
FQB9N50CFTM_WS Fotos
FQB9N50CFTM_WS Preis
FQB9N50CFTM_WS Angebot
FQB9N50CFTM_WS Geringster Preis
FQB9N50CFTM_WS Suchen
FQB9N50CFTM_WS Einkauf
FQB9N50CFTM_WS Chip