Kaufen ON Semiconductor FDS6900AS MOSFET 2N-CH 30V 6.9A/8.2A 8SOIC

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Datenblätter

FDS6900AS

MOSFET 2N-CH 30V 6.9A/8.2A 8SOIC

Artikelnummer

FDS6900AS

Hersteller/Marke

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®, SyncFET™

Teilestatus

Active

Verpackung

Digi-Reel®

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Leistung max

900mW

Gerätepaket des Lieferanten

8-SO

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

6.9A, 8.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

27 mOhm @ 6.9A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

600pF @ 15V

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