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FDS6675BZ
MOSFET P-CH 30V 8-SOIC
Artikelnummer
FDS6675BZ
Hersteller/Marke
Serie
PowerTrench®
Teilestatus
Active
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gerätepaket des Lieferanten
8-SO
Verlustleistung (max.)
2.5W (Ta)
FET-Typ
P-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
13 mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
62nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
2470pF @ 15V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
±25V
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