ON Semiconductor
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FDMD86100
Datenblätter

FDMD86100

MOSFET 2N-CH 100V
Artikelnummer
FDMD86100
Hersteller/Marke
ON Semiconductor
Serie
PowerTrench®
Teilestatus
Active
Verpackung
Cut Tape (CT)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
8-PowerWDFN
Leistung max
2.2W
Gerätepaket des Lieferanten
8-Power 5x6
FET-Typ
2 N-Channel (Dual) Common Source
FET-Funktion
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
10A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
2060pF @ 50V
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