Kaufen ON Semiconductor FDMC8884-F126 MOSFET N-CH 30V PWR33

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Datenblätter

FDMC8884-F126

MOSFET N-CH 30V PWR33

Artikelnummer

FDMC8884-F126

Hersteller/Marke

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

8-PowerWDFN

Gerätepaket des Lieferanten

8-MLP (3.3x3.3)

Verlustleistung (max.)

2.3W (Ta), 18W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

9A (Ta), 15A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

19 mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

685pF @ 15V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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