Kaufen ON Semiconductor FDD5N60NZTM MOSFET N-CH 600V DPAK-3

Das Bild kann eine Darstellung sein.
Siehe Spezifikationen für Produktdetails.

Datenblätter

FDD5N60NZTM

MOSFET N-CH 600V DPAK-3

Artikelnummer

FDD5N60NZTM

Hersteller/Marke

ON Semiconductor

Serie

UniFET-II™

Teilestatus

Active

Verpackung

Digi-Reel®

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gerätepaket des Lieferanten

D-Pak

Verlustleistung (max.)

83W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

600V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

4A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2 Ohm @ 2A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

600pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±25V

Angebot anfordern

Bitte füllen Sie alle erforderlichen Felder aus und klicken Sie auf „SENDEN“. Wir werden Sie innerhalb von 12 Stunden per E-Mail kontaktieren. Wenn Sie ein Problem haben, hinterlassen Sie bitte eine Nachricht oder senden Sie eine E-Mail an [email protected], wir werden so schnell wie möglich antworten.

Auf Lager 45795 PCS

Kontaktinformationen

Verwandte Produkte

FDD5353

MOSFET N-CH 60V 11.5A DPAK