ON Semiconductor
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FDC3601N
Datenblätter

FDC3601N

MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
Artikelnummer
FDC3601N
Hersteller/Marke
ON Semiconductor
Serie
PowerTrench®
Teilestatus
Active
Verpackung
Cut Tape (CT)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Leistung max
700mW
Gerätepaket des Lieferanten
SuperSOT™-6
FET-Typ
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
500 mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
5nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
153pF @ 50V
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