Kaufen ON Semiconductor DTC123JET1G TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75

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Datenblätter

DTC123JET1G

TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75

Artikelnummer

DTC123JET1G

Hersteller/Marke

ON Semiconductor

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Digi-Reel®

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

SC-75, SOT-416

Leistung max

200mW

Gerätepaket des Lieferanten

SC-75

Transistortyp

NPN - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (Max)

100mA

Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)

50V

Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic

250mV @ 1mA, 10mA

Strom – Kollektorabschaltung (max.)

500nA

DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V

Häufigkeit – Übergang

Widerstand - Basis (R1)

2.2 kOhms

Widerstand – Emitterbasis (R2)

47 kOhms

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