Kaufen ON Semiconductor 2SK4125-1EX MOSFET N-CH 600V 17A TO3P

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2SK4125-1EX

MOSFET N-CH 600V 17A TO3P

Artikelnummer

2SK4125-1EX

Hersteller/Marke

ON Semiconductor

Serie

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

150°C (TA)

Befestigungsart

Through Hole

Paket/Koffer

TO-3P-3, SC-65-3

Gerätepaket des Lieferanten

TO-3P-3L

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta), 170W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

600V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

17A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

610 mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

46nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

1200pF @ 30V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±30V

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