Kaufen NXP USA Inc. PMV185XN,215 MOSFET N-CH 30V 1.1A TO-236AB

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Datenblätter

PMV185XN,215

MOSFET N-CH 30V 1.1A TO-236AB

Artikelnummer

PMV185XN,215

Hersteller/Marke

NXP USA Inc.

Serie

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Digi-Reel®

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Gerätepaket des Lieferanten

TO-236AB (SOT23)

Verlustleistung (max.)

325mW (Ta), 1.275W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

1.1A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

250 mOhm @ 1.1A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

1.3nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

76pF @ 15V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

2.5V, 4.5V

Vgs (Max)

±12V

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