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PMN25UN,115

PMN25UN,115

MOSFET N-CH 20V 6A 6TSOP
Artikelnummer
PMN25UN,115
Hersteller/Marke
Serie
-
Teilestatus
Obsolete
Verpackung
Cut Tape (CT)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
SC-74, SOT-457
Gerätepaket des Lieferanten
6-TSOP
Verlustleistung (max.)
530mW (Ta), 6.25W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
20V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
27 mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
470pF @ 10V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
1.8V, 4.5V
Vgs (Max)
±8V
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