Kaufen NXP USA Inc. PMN25UN,115 MOSFET N-CH 20V 6A 6TSOP

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Datenblätter

PMN25UN,115

MOSFET N-CH 20V 6A 6TSOP

Artikelnummer

PMN25UN,115

Hersteller/Marke

NXP USA Inc.

Serie

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

SC-74, SOT-457

Gerätepaket des Lieferanten

6-TSOP

Verlustleistung (max.)

530mW (Ta), 6.25W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

6A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

27 mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

470pF @ 10V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

1.8V, 4.5V

Vgs (Max)

±8V

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