Kaufen NXP USA Inc. PMN25EN,115 MOSFET N-CH 30V 6.2A 6TSOP

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Datenblätter

PMN25EN,115

MOSFET N-CH 30V 6.2A 6TSOP

Artikelnummer

PMN25EN,115

Hersteller/Marke

NXP USA Inc.

Serie

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

SC-74, SOT-457

Gerätepaket des Lieferanten

6-TSOP

Verlustleistung (max.)

540mW (Ta), 6.25W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

6.2A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

23 mOhm @ 6.2A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

492pF @ 15V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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