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PMGD8000LN,115

MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP

Artikelnummer

PMGD8000LN,115

Hersteller/Marke

NXP USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Leistung max

200mW

Gerätepaket des Lieferanten

6-TSSOP

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

125mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8 Ohm @ 10mA, 4V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.5V @ 100µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

0.35nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

18.5pF @ 5V

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