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PMV65XPVL
MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB
Artikelnummer
PMV65XPVL
Hersteller/Marke
Serie
-
Teilestatus
Active
Verpackung
-
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket des Lieferanten
TO-236AB
Verlustleistung (max.)
480mW (Ta)
FET-Typ
P-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
20V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
74 mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
7.7nC @ 4V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
744pF @ 20V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
1.8V, 4.5V
Vgs (Max)
±12V
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