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PMDXB600UNEZ

PMDXB600UNEZ

MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN
Artikelnummer
PMDXB600UNEZ
Hersteller/Marke
Serie
TrenchFET®
Teilestatus
Active
Verpackung
Digi-Reel®
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
6-XFDFN Exposed Pad
Leistung max
265mW
Gerätepaket des Lieferanten
6-DFN (1.1x1)
FET-Typ
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)
20V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
600mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
620 mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
950mV @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
0.7nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
21.3pF @ 10V
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