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PHT6NQ10T,135

MOSFET N-CH 100V 3A SOT223

Artikelnummer

PHT6NQ10T,135

Hersteller/Marke

Nexperia USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

Teilestatus

Active

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-261-4, TO-261AA

Gerätepaket des Lieferanten

SOT-223

Verlustleistung (max.)

1.8W (Ta), 8.3W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

3A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

90 mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

633pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±20V

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