Kaufen Microsemi Corporation APT80SM120S POWER MOSFET - SIC

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APT80SM120S

POWER MOSFET - SIC

Artikelnummer

APT80SM120S

Hersteller/Marke

Microsemi Corporation

Serie

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Bulk

Technologie

SiCFET (Silicon Carbide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Gerätepaket des Lieferanten

D3Pak

Verlustleistung (max.)

625W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

1200V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

80A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

55 mOhm @ 40A, 20V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

235nC @ 20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

20V

Vgs (Max)

+25V, -10V

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