Kaufen Microsemi Corporation APT35GP120B2DQ2G IGBT 1200V 96A 543W TMAX

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APT35GP120B2DQ2G

IGBT 1200V 96A 543W TMAX

Artikelnummer

APT35GP120B2DQ2G

Hersteller/Marke

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 7®

Teilestatus

Active

Verpackung

Tube

Eingabetyp

Standard

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Through Hole

Paket/Koffer

TO-247-3 Variant

Leistung max

543W

Gerätepaket des Lieferanten

Reverse Recovery Time (trr)

Strom - Kollektor (Ic) (Max)

96A

Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)

1200V

IGBT-Typ

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 35A

Strom – Kollektor gepulst (Icm)

140A

Energie wechseln

750µJ (on), 680µJ (off)

Gate-Gebühr

150nC

Td (ein/aus) bei 25 °C

16ns/95ns

Testbedingung

600V, 35A, 4.3 Ohm, 15V

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