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2N6798U

2N6798U

MOSFET N-CH 200V 18LCC
Artikelnummer
2N6798U
Hersteller/Marke
Serie
-
Teilestatus
Obsolete
Verpackung
Bulk
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
18-CLCC
Gerätepaket des Lieferanten
18-ULCC (9.14x7.49)
Verlustleistung (max.)
800mW (Ta), 25W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
200V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
400 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
5.29nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
-
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
10V
Vgs (Max)
±20V
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