Kaufen Microsemi Corporation 2N6798 MOSFET N-CH 200V TO-205AF TO-39

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2N6798

MOSFET N-CH 200V TO-205AF TO-39

Artikelnummer

2N6798

Hersteller/Marke

Microsemi Corporation

Serie

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Bulk

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Through Hole

Paket/Koffer

TO-205AF Metal Can

Gerätepaket des Lieferanten

TO-39

Verlustleistung (max.)

800mW (Ta), 25W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

200V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

5.5A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

400 mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

5.29nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±20V

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